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Author: Tan KW   |   Latest post: Mon, 9 Dec 2019, 11:00 PM

 

[转贴] 5G 時代看化合物半導體砷化鎵 (GaAs) 材料

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4G 時代有 41 個而 5G 將新增50個頻段, 總頻段數量將達到 91個, 由此將直接帶動射頻前端晶片的用量與單機價值的提升. 根據 Skyworks 預測, 射頻前端單機價值量將從 4G 的 18美金上升至 25 美金.


5G 宏基站的總量, 單基站 PA 需求量以及 5G 終端單機射頻前端用量相較 4G 時代將明顯提升. 根據 QYR 的預測 2018~2023 全球射頻前端市場規模預計將以年複合增長率 16% 持續高速增長.


Si-LDMOS 不再適合於 5G 高頻段, GaN 將逐步取代  Si-LDMOS 應用於 5G 宏基站以及小基站中; GaAs 由於其制造成本和規格尺寸中等, 且輸出功率較小, 因此將廣泛應用於終端設備前端射頻器件.


晶片制造過程可概分為晶圓處理工序, 晶圓針測工序, 封裝工序, 測試工序等幾個步驟. 其中晶圓處理工序和晶圓針測工序為前道 (Front End) 工序, 而封裝工序和測試工序為後道(Back End) 工序.


晶圓制備包括襯底制備和外延工藝兩大環節. 襯底 (substrate) 是由半導體單晶材料制造而成的晶圓片. 外延 (epitaxy) 是指在單晶襯底上生長一層新單晶的過程, 新單晶可以與襯底為同一材料, 也可以是不同材料.


目前全球半絕緣單晶 GaAs 襯底市場集中度 CR3 高達 95%, 日本的住友電氣 (Sumitomo Electric), 德國費裏伯格 (Freiberger Compound Materials) 以及美國的 AXT 公司占據了 95% 以上的市場份額.


IQE 及全新兩家份額合計達 80%. 外延生長主要包括 MOCVD 及 MBE 技術兩種. IQE, 全新均採用 MOCVD, 英特磊採用 MBE 技術. HVPE (氫化物氣相外延) 技術主要應用於 GaN 襯底的生產.


5G 建設相關的毫米波, 大規模陣列天線技術及小型基站需要用到大量射頻元件, 其中大量運用到砷化鎵制程, 隨著 5G 建設大規模進行, 砷化鎵器件市場需求旺盛訂單充足. 以下為外延片廠商的股價比較.

 

http://wangofnextdoor.blogspot.com/2019/09/5g-gaas.html
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